Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 45V(Min)- BD201 Complement to Type BD202/204 APPLICATIONS Designed for use in hi-fi equipment delivering an output of 15 to 15 W into a 4Ω or 8Ω load

Le BC107 est un petit transistor NPN unique disponible dans un boîtier métallique TO-18. Ces transistors sont très anciens et ont été utilisés dans des conceptions à faible bruit et à faible signal. Aujourd'hui, de nombreux nouveaux transistors sont venus remplacer le BC107, mais le transistor peut toujours être trouvé sur le marché pour son héritage.

Une large gamme de transistors bipolaires NPN et PNP de STMicroelectronics, y compris des dispositifs à usage général Darlington de puissance et haute tension dans les boîtiers CMS et à montage traversant.

Catégorie Puissance bipolaire Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 30 A Dimensions 8.7 x 39.5 x 26.2mm Dissipation de puissance maximum 150 W Fréquence de fonctionnement maximum 0,2 MHz Gain en courant DC minimum 5 Hauteur 8.7mm Largeur 26.2mm Longueur 39.5mm Nombre d'éléments par circuit 1 Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +200 °C Température de fonctionnement minimum -65 °C Tension Collecteur Base maximum 50 V Tension Collecteur Emetteur maximum 40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V Tension Emetteur Base maximum 5 V Type de boîtier TO-3 Type de montage Traversant Type de transistor NPN

Le TIP120 est constitué de transistors de puissance NPN Epitaxial-Base en silicium en configuration Darlington monolithique montés dans un boîtier en plastique Jedec TO-220. Ils sont destinés à être utilisés dans des applications de puissance linéaire et de commutation.

Transistor bipolaire, NPN, 600 mA, 40 V, TO-18, 3 broches

Transistors npn à commutation haute tension et haute vitesse dans une enveloppe en plastique avec diode d'efficacité intégrée, principalement destinés à être utilisés dans les circuits de déviation horizontale des récepteurs de télévision couleur

Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power

CARACTÉRISTIQUES

♦ Transistors planaires épitaxiaux au silicium PNP pour

   applications de commutation et d'amplification AF.

♦ Ces transistors sont subdivisés en

   trois groupes A, B et C selon

   leur gain actuel. Le type BC556 est disponible

   capables dans les groupes A et B, cependant, les types

   BC557 et BC558 peuvent être fournis dans les trois

   groupes. Le BC559 est un type à faible bruit disponible

   dans les trois groupes. En tant que types complémentaires, les

   Les transistors NPN BC546 … BC549 sont recommandés.

♦ Sur demande spéciale, ces transistors sont également fabriqués

   dans la configuration des broches TO-18.