BD246C, Transistor bipolaire (BJT), PNP, 100V, 10A, 80W, SOT-93-3
Référence: PR/08267
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Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
Polarité du transistor: PNP
Configuration: Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 100 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V
Courant CC max. du collecteur: 10 A
Pd - Dissipation d’énergie : 80000 mW
Température de fonctionnement min.: - 65 C
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 40 at 1 A, 4 V
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: Si
PR/08267
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Catégorie Puissance bipolaire Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 30 A Dimensions 8.7 x 39.5 x 26.2mm Dissipation de puissance maximum 150 W Fréquence de fonctionnement maximum 0,2 MHz Gain en courant DC minimum 5 Hauteur 8.7mm Largeur 26.2mm Longueur 39.5mm Nombre d'éléments par circuit 1 Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +200 °C Température de fonctionnement minimum -65 °C Tension Collecteur Base maximum 50 V Tension Collecteur Emetteur maximum 40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V Tension Emetteur Base maximum 5 V Type de boîtier TO-3 Type de montage Traversant Type de transistor NPN
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