Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT

RoHS: OUI

Style de montage: SMD/SMT

Package/Boîte: SOT-32-3

Polarité du transistor: PNP

Configuration: Single

Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 32 V

Collecteur - Tension de base VCBO: 32 V

Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V

Tension de saturation collecteur-émetteur : 200 mV

Courant CC max. du collecteur: 4 A

Pd - Dissipation d’énergie : 36 W

Produit gain-bande passante fT : 3 MHz

Température de fonctionnement min.: - 65 C

Température de fonctionnement max.: + 150 C

Série: BD436   

Courant de collecteur continu : 4 A

Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 40

Gain de courant CC hFE max.: 130

Hauteur: 10.8 mm

Longueur: 7.8 mm

Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors

Sous-catégorie: Transistors

Technologie: Si

Largeur: 2.7 mm

Poids de l''unité: 60 mg

PR/08265

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