Référence: PR/08259
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Catégorie du produit: Transistors bipolaires - BJT
RoHS: OUI
Style de montage: Through Hole
Package/Boîte: SOT-32-3
Polarité du transistor: PNP
Configuration: Single
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 80 V
Collecteur - Tension de base VCBO: 80 V
Émetteur - Tension de base VEBO: 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 500 mV
Courant CC max. du collecteur: 3 A
Pd - Dissipation d’énergie : 1.25 W
Produit gain-bande passante fT : -
Température de fonctionnement min.: -
Température de fonctionnement max.: + 150 C
Série: BD140
Courant de collecteur continu : - 1.5 A
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base: 40
Gain de courant CC hFE max.: 250
Hauteur: 10.8 mm
Longueur: 7.8 mm
Type de produit: BJTs - Bipolar Transistors
Sous-catégorie: Transistors
Technologie: Si
Largeur: 2.7 mm
Poids de l''unité: 60 mg
Transistors npn à commutation haute tension et haute vitesse dans une enveloppe en plastique avec diode d'efficacité intégrée, principalement destinés à être utilisés dans les circuits de déviation horizontale des récepteurs de télévision couleur
L'IRFP140N est une nouvelle génération de famille de MOSFET haute tension qui utilise un mécanisme d'équilibrage de charge avancé pour une faible résistance à l'état passant et des performances de charge de grille inférieures. Cette technologie avancée a été conçue pour minimiser les pertes de conduction, fournir des performances de commutation supérieures et résister à des taux dv/dt extrêmes et à une énergie d'avalanche plus élevée. Il est très approprié pour diverses conversions de puissance AC/DC en fonctionnement en mode de commutation pour la miniaturisation du système et une plus grande efficacité.
Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power
