Fonctionnalités:


• Technologie de processus avancée


• Indice dv/dt dynamique


• Commutation rapide


• Entièrement classé avalanche



Spécifications détaillées :


Nombre de canaux 1 canal

Canal N de polarité du transistor

Tension de claquage drain-source (Vds) 100V

Courant de drain continu (Id) 33A

Résistance drain-source (Rds activé) 0,052 Ohms

Tension porte-source (Vgs) 20V

Charge de porte (Qg) 94 nC

Plage de température de fonctionnement -55 - 175°C

Dissipation de puissance (Pd) 140W

PR/08023

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