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Nettoyant de contact électronique de précision
BD677, Transistror Darlington NPN, 4 A, 60 V, SOT-32, Traversant, 3 broches
Référence: PR/08016
0,65 TND
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Transistors Darlington NPN, STMicroelectronics
Transistors bipolaires, STMicroelectronics
Une large gamme de transistors bipolaires NPN et PNP de STMicroelectronics, y compris des dispositifs à usage général Darlington de puissance et haute tension dans les boîtiers CMS et à montage traversant.
Caractéristiques techniques
| Attribut | Valeur |
| Type de transistor | NPN |
| Courant continu de Collecteur maximum | 4 A |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 60 V |
| Tension Emetteur Base maximum | 5 V |
| Type de boîtier | SOT-32 |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Configuration du transistor | Simple |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Gain en courant DC minimum | 750 |
| Tension Collecteur Base maximum | 60 V |
| Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum | 2,5 V |
| Courant de coupure Collecteur maximum | 0.2mA |
| Largeur | 2.7mm |
| Longueur | 7.8mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Dimensions | 7.8 x 2.7 x 10.8mm |
| Hauteur | 10.8mm |
| Température de fonctionnement minimum | -65 °C |
PR/08016
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CARACTÉRISTIQUES
♦ Transistors planaires épitaxiaux au silicium PNP pour
applications de commutation et d'amplification AF.
♦ Ces transistors sont subdivisés en
trois groupes A, B et C selon
leur gain actuel. Le type BC556 est disponible
capables dans les groupes A et B, cependant, les types
BC557 et BC558 peuvent être fournis dans les trois
groupes. Le BC559 est un type à faible bruit disponible
dans les trois groupes. En tant que types complémentaires, les
Les transistors NPN BC546 … BC549 sont recommandés.
♦ Sur demande spéciale, ces transistors sont également fabriqués
dans la configuration des broches TO-18.
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La description
Les appareils sont fabriqués dans la technologie d'îlot de base planaire avec une configuration Darlington monolithique.
Toutes les fonctionnalités
Bonne linéarité hFE
Configuration Darlington monolithique avec diode collecteur-émetteur antiparallèle intégrée
Fréquence fT élevée
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