BD136, Transistor simple bipolaire (BJT), NPN, 45 V, 1.25 W, 1 A, 40 hFE

Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 45V(Min)- BD201 Complement to Type BD202/204 APPLICATIONS Designed for use in hi-fi equipment delivering an output of 15 to 15 W into a 4Ω or 8Ω load

Le TIP120 est constitué de transistors de puissance NPN Epitaxial-Base en silicium en configuration Darlington monolithique montés dans un boîtier en plastique Jedec TO-220. Ils sont destinés à être utilisés dans des applications de puissance linéaire et de commutation.

CARACTÉRISTIQUES

♦ Transistors planaires épitaxiaux au silicium PNP pour

   applications de commutation et d'amplification AF.

♦ Ces transistors sont subdivisés en

   trois groupes A, B et C selon

   leur gain actuel. Le type BC556 est disponible

   capables dans les groupes A et B, cependant, les types

   BC557 et BC558 peuvent être fournis dans les trois

   groupes. Le BC559 est un type à faible bruit disponible

   dans les trois groupes. En tant que types complémentaires, les

   Les transistors NPN BC546 … BC549 sont recommandés.

♦ Sur demande spéciale, ces transistors sont également fabriqués

   dans la configuration des broches TO-18.

L'IRFP140N est une nouvelle génération de famille de MOSFET haute tension qui utilise un mécanisme d'équilibrage de charge avancé pour une faible résistance à l'état passant et des performances de charge de grille inférieures. Cette technologie avancée a été conçue pour minimiser les pertes de conduction, fournir des performances de commutation supérieures et résister à des taux dv/dt extrêmes et à une énergie d'avalanche plus élevée. Il est très approprié pour diverses conversions de puissance AC/DC en fonctionnement en mode de commutation pour la miniaturisation du système et une plus grande efficacité.