Transitor NPN de puissance 60V 8A, BD201

Catégorie Puissance bipolaire Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 30 A Dimensions 8.7 x 39.5 x 26.2mm Dissipation de puissance maximum 150 W Fréquence de fonctionnement maximum 0,2 MHz Gain en courant DC minimum 5 Hauteur 8.7mm Largeur 26.2mm Longueur 39.5mm Nombre d'éléments par circuit 1 Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +200 °C Température de fonctionnement minimum -65 °C Tension Collecteur Base maximum 50 V Tension Collecteur Emetteur maximum 40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V Tension Emetteur Base maximum 5 V Type de boîtier TO-3 Type de montage Traversant Type de transistor NPN

Le TIP112 est un transistor de puissance à base épitaxiale en silicium complémentaire NPN avec une configuration Darlington monolithique monté dans un boîtier en plastique JEDEC. Il est destiné à être utilisé dans des applications linéaires et de commutation de moyenne puissance.

IRFZ24N -Mosfet N – 55v – 17A – To220 – 45W

• Tension Drain-source : 55V
• Courant Drain  (DC): 17A
• Total power dissipation: 45W
• Jonction température:175°C
• Drain-source état on : 70mΩ

Transistor simple bipolaire (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 1.25 W, TO-126, Traversant

Le TIP120 est constitué de transistors de puissance NPN Epitaxial-Base en silicium en configuration Darlington monolithique montés dans un boîtier en plastique Jedec TO-220. Ils sont destinés à être utilisés dans des applications de puissance linéaire et de commutation.