Transistor PNP BC557, BC557
Référence: PR/07450
0,07 TND
TTC
CARACTÉRISTIQUES
♦ Transistors planaires épitaxiaux au silicium PNP pour
applications de commutation et d'amplification AF.
♦ Ces transistors sont subdivisés en
trois groupes A, B et C selon
leur gain actuel. Le type BC556 est disponible
capables dans les groupes A et B, cependant, les types
BC557 et BC558 peuvent être fournis dans les trois
groupes. Le BC559 est un type à faible bruit disponible
dans les trois groupes. En tant que types complémentaires, les
Les transistors NPN BC546 … BC549 sont recommandés.
♦ Sur demande spéciale, ces transistors sont également fabriqués
dans la configuration des broches TO-18.
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lundi-vendredi 8h-17:30
Attribut de produit Valeur d'attribut :Sélectionner l'attribut
Fabricant: onsemi
Catégorie du produit : Transistors bipolaires - BJT
RoHS : Détails
Style de montage : Trou traversant
Colis/Boîte : TO-92-3
Polarité du transistor : PNP
Configuration : Unique
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.: 45 V
Collecteur - Tension de base VCBO : 50 V
Émetteur - Tension de base VEBO : 5 V
Tension de saturation collecteur-émetteur : 250 mV
Courant CC max. du collecteur : 100 mA
Pd - Dissipation d'énergie : 500 mW
Produit gain-bande passante fT : 150 MHz
Température de fonctionnement min. : - 65 C
Température de fonctionnement max. : + 150 C
Série : BC557
Conditionnement : En vrac
Marque : onsemi/Fairchild
Courant de collecteur continu : - 0.1 A
Hauteur : 5,33 mm
Longueur : 5,2 mm
Type de produit: BJTs - Transistors bipolaires
Sous catégorie : Transistors
Technologie : Si
Largeur : 4,19 mm
Poids de l'unité : 200 mg
PR/07450
CARACTÉRISTIQUES
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