TIP112 COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

CARACTÉRISTIQUES

♦ Transistors planaires épitaxiaux au silicium PNP pour

   applications de commutation et d'amplification AF.

♦ Ces transistors sont subdivisés en

   trois groupes A, B et C selon

   leur gain actuel. Le type BC556 est disponible

   capables dans les groupes A et B, cependant, les types

   BC557 et BC558 peuvent être fournis dans les trois

   groupes. Le BC559 est un type à faible bruit disponible

   dans les trois groupes. En tant que types complémentaires, les

   Les transistors NPN BC546 … BC549 sont recommandés.

♦ Sur demande spéciale, ces transistors sont également fabriqués

   dans la configuration des broches TO-18.

Transistor simple bipolaire (BJT), PNP, 45 V, 1 A, 1.25 W, TO-126, Traversant

Specifications: Package / Case TO-3 Transistor Polarity NPN Collector−Emitter Voltage Vceo 225V Minimum hfe @ Current Ic @ Vceo 20 @ 2A @ 10Vdc Minimum Base Current Ib 2A Maximum Current Ic 5A

Une large gamme de transistors bipolaires NPN et PNP de STMicroelectronics, y compris des dispositifs à usage général Darlington de puissance et haute tension dans les boîtiers CMS et à montage traversant.

Catégorie Puissance bipolaire Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 30 A Dimensions 8.7 x 39.5 x 26.2mm Dissipation de puissance maximum 150 W Fréquence de fonctionnement maximum 0,2 MHz Gain en courant DC minimum 5 Hauteur 8.7mm Largeur 26.2mm Longueur 39.5mm Nombre d'éléments par circuit 1 Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +200 °C Température de fonctionnement minimum -65 °C Tension Collecteur Base maximum 50 V Tension Collecteur Emetteur maximum 40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V Tension Emetteur Base maximum 5 V Type de boîtier TO-3 Type de montage Traversant Type de transistor NPN