Transistors bipolaires - BJT NPN Gen Pur Power

Transistor bipolaire, NPN, 600 mA, 40 V, TO-18, 3 broches

Le TIP120 est constitué de transistors de puissance NPN Epitaxial-Base en silicium en configuration Darlington monolithique montés dans un boîtier en plastique Jedec TO-220. Ils sont destinés à être utilisés dans des applications de puissance linéaire et de commutation.

Transistors npn à commutation haute tension et haute vitesse dans une enveloppe en plastique avec diode d'efficacité intégrée, principalement destinés à être utilisés dans les circuits de déviation horizontale des récepteurs de télévision couleur

Catégorie Puissance bipolaire Configuration Simple Courant continu de Collecteur maximum 30 A Dimensions 8.7 x 39.5 x 26.2mm Dissipation de puissance maximum 150 W Fréquence de fonctionnement maximum 0,2 MHz Gain en courant DC minimum 5 Hauteur 8.7mm Largeur 26.2mm Longueur 39.5mm Nombre d'éléments par circuit 1 Nombre de broche 3 Température d'utilisation maximum +200 °C Température de fonctionnement minimum -65 °C Tension Collecteur Base maximum 50 V Tension Collecteur Emetteur maximum 40 V Tension de saturation Collecteur Emetteur maximum 4 V Tension Emetteur Base maximum 5 V Type de boîtier TO-3 Type de montage Traversant Type de transistor NPN